脉冲跳跃或低纹波突发模式

高压非隔离式同步降压型开关稳压器控制器LTC7801，该器件采用紧凑的 24 引线封装，用于驱动一个全 N 沟道 MOSFET 功率级。其 4V 至 140V (150V 绝对最大值) 输入电压范围专为采用一个高输入电压电源或一个具有高电压浪涌的输入工作而设计，从而免除了增设外部浪涌抑制器件的需要。LTC7801 在输入电压降到低至 4V 时继续以高达 100% 的占空比操作，因而非常适合交通运输、工业控制、机器人和数据通信应用。

在输出电流高达 20A 的条件下，输出电压可设定在 0.8V 至 60V，并具有高达 96% 的效率。在输出电压处于调节状态时，该器件在睡眠模式中仅吸收 40μA，非常适合始终保持接通的系统。一个内部充电泵允许 100% 的占空比和在压差条件下工作，当在放电期间用电池供电时，这是一个有用的特性。LTC7801 强大的 1Ω N 沟道 MOSFET 栅极驱动器可在 5V 至 10V 的范围内调节，以允许使用逻辑或标准电平 MOSFET 以最大限度地提升效率。为了在高输入电压应用中防止片内产生高功耗，LTC7801 具有一个 NDRV 引脚，该引脚可驱动一个任选外部 N 沟道 MOSFET 的栅极，此 MOSFET 充当一个向 IC 供电的低压差线性稳压器。EXTVCC引脚允许 LTC7801 从开关稳压器的输出或其他的可用电源供电，从而降低了功耗并改善效率。

说明：150V同步降压型控制器

性能概要：LTC7801    

宽输入电压范围：4V 至140V (150V 绝对最大值)

宽输出电压范围：0.8V 至60V

输出电流高达 20A

同步整流实现高达 96% 的效率

低的 40μA 静态电流

100% 占空比能力

可调的 5V至10V 栅极驱动电压以用于逻辑电平或标准门限 MOSFET

DCR 或RSENSE电流检测

短的 80ns 最小导通时间用于实现高降压比

可在轻负载时选择连续、脉冲跳跃或低纹波突发模式运行

50kHz 至 900kHz 可选固定工作频率

75kHz 至 850kHz PLL 可同步工作频率

电流模式控制实现快速瞬态响应和简易的环路补偿

电源良好输出信号

可调输入过压闭锁

TSP系列还提供了改善的降额条件和更大的电容，以便确保在典型电压水平下的低故障率，以及在使用堆叠配置T540和T541系列时的多种故障率方案。

TSP系列适用于许多应用，包括机载、地面和海军设备，在这些情况下，GaN射频（RF）半导体是设计的一部分。根据Yole Développement 2020年5月发布的一项报告*，GaN射频（RF）应用的总国防市场预计将以22%的复合年增长率（CAGR）增长，到2025年将超过10亿美元，而GaN RF的总市场到2025年将超过20亿美元。该报告还指出，在雷达有源相控阵（AESA）系统中的应用以及对机载系统轻型设备的需求，是GaN RF国防市场的主要驱动力。TSP系列可以完全支持电信和工业应用中的其他大功率、高频率和长寿命需求设计。

LTC7801 在 50kHz 至 900kHz 可选固定频率范围内运行，也可同步至 75kHz 至 850kHz 的外部时钟。在轻负载时，用户可以选择强制连续运行、脉冲跳跃或低纹波突发模式 (Burst Mode®) 运行。其电流模式架构提供方便的环路补偿、快速瞬态响应和出色的电压稳定性。电流检测通过检测输出电感器 (DCR) 两端的压降来完成以实现最高效率，或者通过使用一个可选的检测电阻器完成。很短的 80ns 最小接通时间在高开关频率时允许高降压比。在过载情况下，电流折返限制了 MOSFET 产生的热量。其他特点包括一个集成的自举二极管、一个电源良好输出信号、可调输入过压闭锁和软启动。