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卸载处理器和WM9081之间控制接口通信载波频率达到7GHz

氮化镓因其卓越的射频性能成为5GmMIMO无线电的领先大功率射频功率放大器技术。

然而,目前的实现方式成本过高。与硅基技术相比,氮化镓生长在昂贵的III/V族SiC晶圆上,采用昂贵的光刻技术,生产成本特别高。最初尝试在硅晶圆上生长氮化镓,但由于性能不佳和不具有成本优势,没有被市场采纳。这种情况正在改变。

我们描述了一种在8英寸工艺上运行的新的硅基氮化镓技术,它满足所有的技术要求,并提供有商业吸引力的经济效益。

WM9081内置的寄存器写入定序器将软件开发时间降至最短。许多信号路径(如DAC到扬声器的模式)仅通过一次寄存器写入就可以实现启动和禁用,内部定序器在WM9081内分别启动预编程的多次写入,卸载处理器和WM9081之间的控制接口通信。

现已可提供WM9081全面的评估系统,包括评估版、完整电路图、Linux驱动器和欧胜互动设置配置环境(WISCE),后者一个可下载的软件图形化用户界面,它支持开发人员对寄存器图的互动版本进行实时修改,在开发软件设置时同时调整器件的配置。

载波频率达到7GHz,瞬时带宽大于400MHz,更高阶的调制方式,更多的信道数量和mMIMO天线配置是其中几个.用于射频功率放大器的现代半导体技术需要满足某些苛刻的条件,以满足5G的要求,并为未来一代铺平道路。

射频功率放大器仍然是5GmMIMO无线电中的关键设备,是无线传输前的最后一个有源器件,基站高达50%的能耗在这里。

因此,限制设备成本和功耗对于高效5G网络的安装和运营至关重要。

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