8英寸硅衬底上制造器件具有固有的成本优势

氮化镓射频器件的开发是为了满足军事应用(如雷达)对高功率,宽带宽和高频率的需求。

与LDMOS相比,氮化镓具有更高的临界电场和通道中载流子密度最大的固有优势，这意味着更高的功率密度,在给定的输出功率下具有更高的阻抗,并且随频率升高效率的下降。

MLX90421和MLX90422提供SOIC-8和无PCB DMP-4形式的单芯片封装。

在军事应用中具有吸引力的属性，也使氮化镓在无线基础设施中具有吸引力，特别是高功率密度——通常是LDMOS晶体管的5倍——与低寄生电容相结合，这使该器件能够支持更宽的调制带宽。

以提高功率MOSFET的击穿电压,4横向扩散结构5,6的性能、坚固性和易用性超过了硅双极晶体管，LDMOS在1990年代成为主流射频功率技术。

LDMOS一直是无线基础设施中高功率发射级的标准技术，在3GHz以下都有出色的表现。在GaN HEMT出现之前，由于在8英寸硅衬底上制造器件具有固有的成本优势，并且与标准硅工艺完全兼容，LDMOS在无线基站市场上一直难以被取代。

市场向更高频率发展的趋势也有利于氮化镓晶体管，随着功率和频率的增加，它能保持更高的峰值效率,即使超过2GHz，GaN功率放大器的效率还能超过80%。

这个效率优势对5G和未来的通信系统越来越重要。

硅基氮化镓——成本一直是限制氮化镓用于无线基础设施等成本敏感型应用的一个主要因素。这对于2GHz和更低频率的应用来说尤其如此，因为在这个频段LDMOS和GaN之间的性能差距并不明显。为了解决SiC基GaN的高成本问题，自21世纪初以来，人们一直在追求在Si衬底上生长GaN。