低调节正向电压内部温度限制电路在出现差错时保护部件

由于SAS物理层和串行ATA兼容，用户可以选择SAS或SATA硬盘驱动器来在板上组装系统，也可以同时使用这两种驱动器。SAS技术使SCSI接口解决方案超越Ultra320，在达到新一代DAS（Direct Attach Storage）企业级服务器和高性能工作站的要求的同时，保留设备级的向后兼容性。

SAS标准定义了一个设备级企业存储接口，这个标准合成了SCSI命令集，串行点对点连接，双端口，增强的寻址能力，并且可以升级到SFF接口（small form factors）。

DAS市场，在兆兆字节方面，将继续强劲增长，而像LSI逻辑这样的公司成功地将SAS定位于接替并行SCSI的技术，新技术必须同时加强性能和降低成本，也必须要准时面世。随着服务器市场从Ultra320 SCSI发展到SAS，这些都是特别重要的。

LTC4411包含一个140mOhm P沟道MOSFET。在正常正向运行期间，通过MOSFET的压降能够被调节低至28mV。在负载电流高达100mA时的静态电流低于40uA。如果输出电压超过输入电压，MOSFET就会被切断，从OUT到IN的反向电流低于1uA。最大正向电流限制在一个恒定的2.6A（典型值），而内部温度限制电路可在出现差错时保护部件。在关断时，LTC4411耗电小于25uA。

LTC4411性能概要：

针对“或”二极管的低损耗替代

低调节正向电压：28mV

最大正向电流2.6A

低正向导通电阻：140mOhms

低反向漏电流<1uA

2.6V到5.5V运行范围

保护方式：电流限制、温度、反向电流

5引线ThinSOT封装

为了延长的电池寿命、低输入电压运行或产生热量最小化而采取多重电源“或”方式时，可使功率耗散和压降最小化。此外，LTC4411具有多种保护功能，如电流限制、温度保护、以及输入电源的反向电流监测保护，这提高了系统的可靠性。

新器件具有自定时擦写周期，内置式写保护功能，高度可靠，可保存数据达200年之久及承受100万次擦写。这些器件都采用Microchip的低功耗CMOS技术。