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生产过程中回流焊或手工焊接的高温可能会损坏传感器

BUCK的占空比是40%是一定的,那也就是说三角波的频率也是一定的.第一个波和第二个波的斜率是相同的但是幅值不同,频率也会不同,看一下第一个和第三个波形幅值相同,斜率不同,频率也不相同,所以得出一个结论,想要频率一定的话需要保证幅值、斜率都是相同的,这样才能才能保证频率是相同的

7nm,然后是6nm、5nm、4nm和3nm,但是似乎只有数字在进步,5nm之后的良品率却没有丝毫提高。到了比台积电更早采用GAA结构的3nm,情况就更糟了,并且有传言说三星已开始实践2nm技术。

微型化每代推进70%的难度是指数级的:4M、16M、64M和256M DRAM的开发和大规模生产,每一代人都是在技术发展的钢丝上行走。例如,在从64M到256M的开发过程中,有几次难度大到我怀疑256M达到的可能性。

生产过程中回流焊或手工焊接的高温可能会损坏传感器,因此工程生产时务必严格按照厂家的要求进行。焊接曲线其中Tp≤260℃,tp<30s,TL<22℃,tL<150s,焊接时温度上升和下降的速度小于5℃/s。

在回流焊焊接后,为保证传感器聚合物的重新水合,应将传感器放置在>75%RH的环境下存放至少24小时,或者将传感器放置在自然环境(>40%RH)下5天以上,使用低温回流焊(如180℃)可减少水合时间。

为避免焊接后冲洗电路板影响传感器,建议使用“免洗”型焊锡膏。在使用烙铁焊接或使用热风枪时需要防止助焊剂、松香等物质溅入传感器内部。

三极管更多的是当作一个开关管来使用,且只有截止、饱和两个状态;截止状态看作是“关”,饱和状态看作是“开”;Ib≥1mA时,完全可以保证三极管工作在饱和状态,对于小功率的三极管此时Ic为几十到几百mA,驱动继电器、蜂鸣器等功率器件绰绰有余。

把三极管箭头理解成一个开关,NPN型三极管,按下开关S1,约1mA的Ib流过箭头,箭尾比箭头电压高0.6V~0.7V(钳位电压),三极管工作在饱和状态,c极到e极完全导通,c极电平接近0V(GND);负载RL两端压降接近5V;Ib与Ic电流都流入e极,根据电流方向,e极为低电平,应接地,c极接负载和电源。