导通电阻极低(2.6毫欧)的用作同步MOSFET的器件

NIS3001由QFN封装的CMOS模拟门驱动器NCP5351和两个MOSFET裸芯片组成。

高边的NTC60N02R和低边的NTC95N02 MOSFETs结合了专利HD3E平面技术,具有世界级转换性能。NIS3001内具有导通电阻极低(2.6毫欧)的用作同步MOSFET的器件,和速度极快以控制MOSFET的器件。

NIS3001应用在符合VRM 9和VRM 10电源规范的直流/直流转换器和通信降压转换器上，它设计简洁，寄生电感极低，转换性能良好。

安森美半导体在电源密度上取得的这一突破，可使设计人员设计出电流密度达每平方英寸10安培的先进微处理器电源。采用分立器件通常仅能获得每平方英寸5安培的电流密度。这一领先技术也有助于大大节省电源在日渐缩小的电路板的占用空间。

高度集成的集成AAL1 SAR(分割和重新组装)芯片，用作TDM(时分复接)到ATM(异步传输模式)的转换。

由于在TDM到ATM转换设计中，消除了多达六个外接器件，Zarlink的MT90528和MT90520 AAL1 SAR芯片大大地减少了板的面积，降低系统功耗，提升了效率。

28端口的MT90528和8端口的MT90520是业界首个TDM到ATMZ转换器件，每端口有用于网络同步的PLL和用于通道缓冲器的SRAM。芯片能完成语音处理延时，消除了外接的语音回声消除器(VEC)。这些特性，和多数据转换模式一起，使Zarlink的新型AAL1 SAR 芯片成为TDM到ATM转换的最灵活的集成和成本效率器件。

MT90528和MT90520是设计用在ATM边缘交换,多服务交换,宽带数字回路载波,ATM语音和媒体网关。

iNTERO可编程隔离式智能功率模块 (PI-IPM)，在单一封装内将功率平台整合到嵌入式驱动器板上，板上纳入一个可编程数字信号处理器。

这款业界集成度最高的PI-IPM功率模块，可提供完全集成灵活及高性能的解决方案，适用于高达15kW的三相、交流感应及直流无刷工业用及伺服电机。该模块降低了电机驱动器功率平台、相关控制及外围设备的设计时间、成本和风险。

新器件型号为PIIPM50P12B004，额定值为1200V和50A，内含三相逆变器功率平台所需的各种功率半导体器件及一个可编程40 Mips数字信号处理器，并具备电流传感、隔离、栅驱动器及功率平台保护功能，可直接与电机驱动器主机及输入平台接口。