尺寸小元器件终端设备和网络产品商用端到端解决方案

使用E-UTRAN New Radio Dual Connectivity（EN-DC技术在5G数据速度方面取得了新突破。EN-DC技术使移动运营商可以利用4G网络来提高5G速度和覆盖范围。

将40MHz的4G频谱和800MHz的5G毫米波频谱结合在一起，从而使单个终端设备的数据速率达到了5.23Gbps。在演示中，三星使用了其包含终端设备和网络产品在内的商用端到端解决方案。其中包括三星Galaxy S20智能手机、4G基站、5G基站和4G/5G通用核心网。

使用了EN-DC技术，该技术使运营商能够将4G和5G结合起来，以最大程度地利用两个网络的优势，并提高网络速度、覆盖范围和可靠性。该技术还利用了载波聚合。

新的PN544芯片基于欧洲电信标准协会(ETSI)制定的最新NFC规范，将能带给手机用户一系列新的非接触式应用，如移动支付、交通和大型活动票务以及直接从手机SIM（用户识别模块）卡进行数据共享等，从而改善用户的在途体验。

基于SIM卡的标准化NFC芯片组为手机制造商、移动运营商、银行、交通运营商和许多其它业者提供了NFC开发平台，从而为NFC应用奠定了坚实的基础。

同时，标准化进程能帮助其它组织调整业务以支持移动非接触式服务，进一步促进市场成长。

STx7N95K3系列还实现了导通损耗最小化，导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。

同时，因为达成低栅电荷量(QG)和低本征电容，这些新的MOSFET还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。

STx7N95K3 MOSFET实现这些性能优势归功于的最新一代SuperMESH3™技术。

新产品采用工业标准封装：STF7N95K3采用 TO-220FP封装；STP7N95K3采用标准的TO-220封装；STW7N95K3采用TO-247封装。