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晶体的参数

晶体的参数

晶体的主要参数有标称频率f、负载电容CL和激励电平。

1. 标称频率

标称频率f是指晶体的振荡频率,通常直接标注在晶体的外壳上,一般用带有小数点的几位数字来表示,单位为MHz或kHz,如图所示。

注有效数字位数较多的晶体,其标称频率的精度较高。

2.  负载电容

负载电容CL是指晶体组成振荡电路时所需配接的外部电容。负载电容CL是参与决定振荡频率的因数之一,在规定

图 晶体的标注

的Ct下晶体的振荡频率即为标称频率f。使用晶体时必须按要求接入规定的CL,才能保证振荡频率符合该晶体的标称频率。

3. 激励电平

激励电平是指晶体正常工作时所消耗的有效功率,常用的标称值有0.1mW、0.5mW、lmW、2mW 等。激励电平的大小关系到电路工作的稳定性和可靠性。激励电平过大会使频率稳定度下降,甚至造成晶体损坏。激励电平过小会使振荡幅度变小和不稳定,甚至不能起振。一般应将激励电平控制在其标称值的50%~100%范围内。