脉冲波形的ESD脉冲模拟器和被测器件(DUT)插座

   试验方法与技术

    试验设备GAL20V8B-15QPN

   试验设各包括与图4-154所示的电路等效的,并能提供图4-155所示的脉冲波形的ESD脉冲模拟器和被测器件(DUT)插座。

   为避免产生寄生效应对模拟电路性能的影响,应减小串连电感。为避免Cl再充电时的瞬变,应使电源电压眠减小,并将S1开关置于放电位置之前。试验期间,不允许跨接DUT插座。建议不要为得到相反极性而把A、B两端作为模拟器内部组成部分。

  Cl表示为有效电容。

   R1的阻值为106~107Ω。

   Cl=100O3×(l±10%)pF(绝缘电阻大于或等于1012Ω)。

   R2=150σ×(1±1%)Ω。

   lsl为高压继电器。

   岛为常闭开关(脉冲放电和电容测试期间,开路)。

   电流探测器采用双屏蔽电缆,并连到示波器的50Ω端口,电缆长度不应超过09m。