开关损耗和碳化硅场效应晶体管

NCV8842PWR2旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等;而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

云母电容器具有以下特点：

容量范围不宽，一般在10-51000pF之间。

稳定性高，可靠性高，且可制成高精度电容器。

固有电感小，不易老化，频率特性稳定，是性能优良的高频电容器之一

绝缘电阻高，一般可达1000 -7500MΩ。

温度特性好，使用环境温度一般在-55℃ ~ +85℃范围内。

介质损耗小，损耗角正切值一般为(5 - 30) x 10 -4 。

价格较贵，逐渐被陶瓷电容器和有机薄膜电容器所取代。

SiC FET器件的导电损耗更低，它在150°C下比SJ部件耗散的功率少了30%。应用程序将定义当前级别，而不是开关中消耗的功率。给定的电流，SiC fet的表现可能比Si更好，因为SiC的热阻比Si低，所以温度更低。较低的开关损耗和碳化硅场效应晶体管的体二极管损耗也降低了整体封装损耗，使得相对结温升更低，相对Rds(on)值更低。考虑到碳化硅场效应晶体管器件的门极费用较低，再加上相应的节能措施，采用更小的缓冲器，好处就会大大增加。

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