RX23E-A MCU性能相当于或优于分立式ΔΣA/D转换器性能

SP6LI产品系列采用专为高电流SiC MOSFET功率模块而设计的最低杂散电感封装之一，具有五种标准模块，在外壳温度(Tc)为80°C的情况下，提供从1200V、210A至586A;

Tc同为80°C的情况下达到1700V、207A的相臂拓扑。

极低杂散电感标准SP6LI封装非常适合为用于高开关频率、高电流和高效率应用的SiC MOSFET器件改善性能，通过提供更小尺寸的电源系统解决方案，帮助客户大幅降低设备需求。低电感封装具有出色的开关特性，使客户能够开发更高性能的高可靠性系统，帮助他们从竞争中脱颖而出。

在这个系统中，IGBT部分选用了具备内置快恢复二极管（FRD）的RBN75H65T1FPQ-A0，它支持最高650V的电压和75A的电流，并采用了经典的TO-247A封装。

随着技术的不断进步和对更环保、更高效电力解决方案的需求增加，三相（T型）直流交流逆变器代表了电力转换技术的新方向。

RX-E MCU系列配备了针对工业传感设备优化的24位ΔΣA/D转换器。首款RX23E-A MCU的性能相当于或优于分立式ΔΣA/D转换器的性能，因此RX23E-A在温度控制器、计重秤、压力表等测量模块中得到了广泛应用。

A/D转换器的选择因应用需求而有所不同。因此，扩展了RX-E产品组合，并推出了集成更高性能ΔΣA/D转换器的RX23E-B MCU。

RX23E-A和RX23E-B之间的主要区别在于内置24位ΔΣA/D转换器的数据速率和噪声性能。