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两对开关管轮流通/断在变压器原边线圈中形成正/负交变脉冲电流

一款TOLT封装形式的SuperGaN®FET.新产品TP65H070G4RS晶体管的导通电阻为72毫欧,为业界首个采用JEDEC标准(MO-332)TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。

TP65H070G4RS采用Transphorm强大的高性能650V常闭型d-mode氮化镓平台,该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。

SuperGaN平台的优势与TOLT封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。

高频变压器磁芯利用率高(与单端电路相比)、电源电压利用率高(与后面要叙述的半桥电路相比)、输出功率大、两管基极均为低电平，驱动电路简单。

变压器绕组利用率低、对开关管的耐压要求比较高(至少是电源电压的两倍)。

由四只相同的开关管接成电桥结构驱动脉冲变压器原边。

由同一组信号驱动，同时导通/关端;T2、T3为另一对，由另一组信号驱动，同时导通/关端。两对开关管轮流通/断，在变压器原边线圈中形成正/负交变的脉冲电流。

该参考设计是第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓扑USB-C PD适配器控制板。在早些时候，发布了65瓦的适配器控制电路。

两款适配器控制板采用同一个SuperGaN SiP，与竞争方案相比，客户能够以更优的成本实现100瓦产品设计，从而实现规模效益。

65瓦功率级SuperGaN SiP同样满足100瓦功率级设计的性能和散热要求。

在AC-DC电源市场的市占率正不断增长,确保为市场提供最好,最实用的解决方案,对我们来说最为重要。


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