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片上集成Cortex-M协处理器为我们消除对单独微控制器需求

3级DCFC的前端由三相功率因数校正(PFC)升压级组成,可以是单向或双向;升压级可以采用各种拓扑(二电平或三电平)实现。PFC级接受电网电压(400EU、480US),并将其升压至700至1000V。对于下一代充电桩,业界已经瞄准了更高电压。

独立的快速直流充电桩还需要能够处理充电相关的支付。最后,充电桩需要管理自身的维护、软件升级等(例如通过蓝牙低功耗、Wi-Fi4、LTE)。

实际标准由所使用的直流充电协议规定,例如IEC−61851/SAE1772、GB/T、CHAdeMO、组合充电系统(CCS)或特斯拉超级充电桩.

电路中增加电容,虽然使系统在某些方面能满足设计要求,但是由于电容的存在,系统的上电时间也会相应的延长,下电时由于电容放电缓慢,下电时间也会更长。

现在,我们对最新的MPUs,特别是STM32MP2系列所带来的应用机会抱有浓厚的兴趣,因为这款产品具有更高的能效,让我们能够尽可能地降低音箱的散热要求。

STM32MP2片上集成的Cortex-M协处理器为我们消除了对单独微控制器的需求,而支持千兆位以太网和精确时间协议(PTP)则能够实现设备间精确的数据传输和同步。

交流充电和直流充电之间的差异。对于交流充电,车载充电器(OBC)插入标准交流插座。OBC将交流电转换为适当的直流电为电池充电。对于直流充电,充电桩直接给电池充电。

碳化硅(SiC)和功率集成模块(PIM)技术的进步,是促进向更快速充电转变的关键驱动力。

SiC使DCFC能够以更高的频率运行(因而效率也更高),同时以更快的速度提供更多功率。PIM使OEM能够快速将先进的技术集成到紧凑、轻便的设备中,并实现出色的热管理、可靠性和可制造性,从而加快SiC技术的普及。

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