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131mW*nC导通电阻与栅极电荷乘积提高高频开关应用的效率


SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。

器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54%。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36A，比接近的竞品器件高38%。 

MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

Silicon Labs的EFM8BB1以及 EFM8BB2都是ST MCU的完美替代品。其有集成度高、体积小、功耗低和优越的节电模式等特点，是成本敏感型的嵌入式系统和便携式设备等应用的理想选择。


Silicon Labs的EFM8BB系列采用流水线式CIP-51内核，可完全兼容标准8051指令集，最高支持50MHz的速度，2-64kB的闪存空间，0.5K-4KB SRAM，12位模拟数字转换器(ADC)，灵活的低功耗比较器，功能强大的PWM输出，丰富的数据接口(UART，SPI，I2C)，支持Bootloader。封装为QSOP24、SOIC16、QFN20。

PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5V下逻辑电平导通简化电路驱动。

为提高功率密度，该MOSFET在4.5V条件下导通电阻典型值降至18.5mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16%。

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