器件比同类集成式GaN器件更高效地从两面散热提供优化的热阻

LTC2063的低输入失调电压典型值为1µV，最大值为5µV，低输入偏置和失调电流典型值为1pA至3pA，因此，折合到输入端的零点误差电流典型值仅为10µA(1µV/0.1Ω)，最大值为50µA(5µV/0.1Ω)。

宽带塑封和单片微波集成电路(MMIC)器件。新产品扩充了不断增长的高性能宽带MMIC产品组合，包括四个塑封低噪声放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3;一个宽带功率放大器(PA)芯片MMA053AA;以及两个塑封开关MMS006PP3和MMS008PP3。

这些器件封装在小型5mm塑料QFN封装中，是尺寸受限应用的理想选择。

提升功率密度的同时还是要考虑系统散热，芯片体积越来越小，但是流过它们的功率越来越大，芯片散热也成为了一个挑战。

保障100V GaN产品系列热性能的关键要素是热增强双面冷却封装。借助该技术，这款器件可以比同类集成式GaN器件更高效地从两面散热，并提供优化的热阻。

根据其电源电压区分，在不知道数字集成电路型号的情况下，若其能在3~4.5V或5.5~18V的电压下正常工作，则可以肯定它是CMOS电路。

由于CMOS电路的电源电压为3~18V，而高速CMOS电路电源电压为2~6V，因此当给集成电路加上2~2.5V的电压后，若集成电路正常工作，则说明集成电路是高速CMOS电路，否则，此集成电路是CMOS电路。

因此，需要直接反映温度变化的热保护器，如温度继电器。温度继电器通常将双金属片直接埋置在发热部位，但考虑到双金属片加热后可能影响稳定性，现在部分产品还加入了PTC温度保护及负载端电压保护功能，以更全面地保护电机安全。