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4发6收通道方案实现当前市场上可量产最大单芯片通道数

CRM21046芯片是一款完全自主研发的车载77GHz Radar MMIC芯片，主要应用于传统雷达、4D成像雷达、分布式雷达等多用途毫米波雷达领域。

此款芯片具备国际一流的射频性能，同时首创性地采用了4发6收的通道方案，实现了当前市场上可量产的最大单芯片通道数。

在实现诸多性能提升的同时，CRM21046芯片有效保证了功耗和散热，降低了成本，填补了国产高性能MMIC产品的空白，为客户做出更强竞争力的产品提供了新选择。

对更高效利用能源的推动、更严格的法规要求以及低温运行的技术优势，所有这些都为近来降低电机功耗的举措提供了支持。虽然硅MOSFET等开关技术已得到广泛应用，但它们往往无法满足关键变频器应用对性能和效率的更高要求。

氮化镓(GaN)是一种宽带隙(WBG)FET 器件技术，在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改进和进步，设计人员可以利用GaN器件达成上述目标。GaN器件现在已是主流，并已成为中等功率水平变频器的首选。

最新一代GaN FET如何帮助实现高性能电机变频器。EPC提供了评估板，帮助设计人员熟悉GaN器件的特性并加速设计过程。

Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。

为提高功率密度，该MOSFET 在4.5V条件下导通电阻典型值降至18.5 m，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16%。

SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为131m*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。

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