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Gate电压去除或反向施加快速晶闸管截止断开电流通路

快速晶闸管的开关过程主要包括两个阶段：导通和截止。在导通状态下，Gate电压施加，快速晶闸管导通，电流流经器件；在截止状态下，Gate电压去除或反向施加，快速晶闸管截止，断开电流通路。

使用任何功率开关器件进行设计，尤其是针对中等电流和电压的设计，都必须关注器件的细枝末节和独有特性。

N2832A 系列InfiniiMax III+探测系统是新一代InfiniiMax探测系统，在探头测量功能和可用性方面均有极大扩展，能够全面地测量差分信号。探测系统内置InfiniiMode技术，用户无需更改探针连接即可切换差分、单端和共模探测模式。

GaN器件的内部结构有两种：耗尽型(d-GaN)和增强型(e-GaN)。d-GaN开关通常处于“接通”状态，需要负电源，因此使用这种开关的电路设计较为复杂。相比之下，e-GaN开关是通常处于“关断”状态的MOSFET，因此电路架构更为简单。

GaN器件本身具有双向性，一旦其两端的反向电压超过栅极阈值电压，就会开始导电。

此外，GaN器件在设计上不支持雪崩工作模式，因此必须有足够的额定电压。对于降压、升压和桥式直流转换拓扑，在最高480V的母线电压下，600V的额定电压一般足以满足要求。

较低的RDS(ON)使GaN器件能够用于更小、更轻的电机驱动器，并降低功率损耗，从而在电动自行车和无人机等应用中节省能源和成本。较低的开关损耗会使电机驱动效率更高，从而延长轻型电动汽车(EV)的续航里程。

较快的开关速度支持低延时电机响应，这对于机器人等需要精密电机控制的应用而言至关重要。

GaN FET还可用于开发功率更大、效率更高的叉车电机驱动器。GaN FET具有更高的电流处理能力，因此可用于更大、功率更高的电机。

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