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反向偏置体二极管两端电场使漏极和源极端子之间有大量电流流动

在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。

三个温度下的BVdss值作为额定电压为30V的器件的雪崩电流的函数。

不同功率MOSFET BV额定值的典型雪崩电压范围——在高雪崩电流（安培）和升高的结温（处于或接近最大额定结温）下测量。

对电子和电气设备路线图发展速度的考虑通常会围绕摩尔定律，这更多的是晶体管缩放的经济趋势，而不是任何类型的技术缩放规则（参见登纳德缩放） ）或传统意义上的物理定律。

即使是“性能”的语义定义也可能成为很多争论的目标，因此为了本次讨论的目的，它将被搁置一边。

除了摩尔定律对集成电路(IC)中晶体管尺寸/数量的影响之外，还有另一个趋势正在推动主要系统功耗预算的减少。摩尔定律逻辑器件以指数速度缩小，微机电系统（MEMS）缩小并集成传感器到肉眼几乎看不见的程度。

因此，即使没有在技术上跟踪任何这些东西，电子行业似乎也普遍认为一切（例如，所有组件、供应链和工程工作）都以某种方式遵循每18-24个月性能翻倍的速度。

根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。

额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作结温范围）内定义的MOSFET器件的最小阻断电压（例如30V）。数据表中的BVdss值是在低雪崩电流（通常为250μA或1mA）和结温=25°C时测得的器件雪崩电压。

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