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3nm标准单元库及TRIM金属流程将绕线的中心间距缩短至21nm

新产品是36V工作的升压型DC-DC控制器,因工作电压可确保从3V(业界最小开始,最适宜构建备用电源的升压电路。可以选择400kHz振荡频率或2.2MHz振荡频率。

还搭载有扩频时钟振荡电路,可以降低升压电路发出的传导噪声及辐射噪声。

静止时的消耗电流为60μA(典型值),在低电流下工作的同时,实现优异的响应特性。凭借这些特点,既可降低备份电容器/电池的电压,又可实现小型、低成本、低噪声、低暗电流和快速响应,支持日益增长的安全性能要求。

内置有电压反馈电阻电路,在休眠模式下可以切断电压反馈电阻电路的电流路径。与电压反馈电阻电路外接型的相比,可以进一步削减暗电流。

3nm测试芯片成功流片采用极紫外光刻(EUV)技术,193浸没式(193i)光刻技术设计规则,以及Cadence®Innovus™设计实现系统和Genus™综合解决方案,旨在实现更为先进的3nm芯片设计。

Imec为测试芯片选择了业界通用的64-bit CPU,并采用定制3nm标准单元库及TRIM金属的流程,将绕线的中心间距缩短至21nm。

借助PICkit 4开发工具,设计人员可以使用MPLAB X集成开发环境(IDE)的图形用户界面来进行调试和编程。该工具使用高速USB 2.0接口连接至设计工程师的计算机,并通过可支持高级接口的8针单列直插头连接至目标,此类高级接口包括4线JTAG和带有流数据网关的串行线调试接口等。

有了新的接口,这一低成本工具也可与Microchip的CEC1702硬件加密器件兼容。这款功耗低而功能强大的32位MCU可提供简单易用的加密、身份验证以及私钥和公钥功能。

编程速度提高带来的好处包括开发过程中更少的等待和更高的生产力。

B0512S-1WR3