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堆叠式芯片结构通过占据相同磁场位置来确保一致输出信号特性

霍尔效应位置传感器，具有稳健的杂散场补偿能力，并配备比率模拟输出和开关输出.

凭借其双冗余设计脱颖而出，即两个独立的芯片堆叠在单一封装内，并电气连接到一侧引脚。这种堆叠式芯片结构通过占据相同的磁场位置来确保一致的输出信号特性。

根据ISO 26262标准开发HAR 3920符合ASIL C级要求,适合集成到最高ASIL D级的汽车安全相关系统中。

在消费电子和工业设备应用领域，随着产品功能的增加，对节省电路板空间的要求越来越严格，小型DC-DC转换器IC的使用率也与日俱增。


传感器已定义为ASIL C 级，可以集成到汽车安全相关系统中，最高可达ASIL D级.

目标汽车应用场景包括油门或制动踏板位置检测、离合器位置确定、非接触式电位器或节流阀位置测量.

的新型双芯片传感器HAR 3920-2100*，进一步扩充了Micronas 3DHAL®位置传感器系列。其设计旨在满足在存在干扰杂散场的情况下，对线性位置和角度位置进行高精度测量的需求。

OV50K40支持四合一像素合并，像素可达1250万，帧率支持120帧/秒和60帧/秒（HDR），4倍感光度可实现旗舰级的弱光性能。

四相位检测（QPD）功能可在传感器的整个图像阵列上实现2x2相位检测自动对焦（PDAF），覆盖率达100%，从而实现超快的自动对焦性能。片上像素还原算法可实现完整的5000万像素拜耳输出、优质8K视频和2倍裁切变焦功能。

OV50K40采用PureCel®Plus-S晶片堆叠技术，可实现1.2微米像素的高分辨率。

B0512S-1WR3