光电二极管和前端设置在理想工作点对信号链进行偏置和非线性补偿

ADC架构具有零停滞时间，很好地兼顾了功率噪声性能。在低噪声模式下，输入电流范围为0.5µA时，输入参考噪声低于0.29fC。

低噪声是高性能CT探测器的标志，对成像质量至关重要，特别是在低X射线剂量下。  

AS5911具有针对偏置电压、线性度、偏置电荷和泄漏电流等参数的片上校准功能。这可以自动将光电二极管和前端设置在理想的工作点，对信号链进行偏置和非线性补偿。嵌入式自动校准功能减少了数据采集系统中的开发工作，支持使用需要较少计算能力的低成本FPGA。

小型表面贴装封装可实现自动化装配流程，降低客户的制造成本。

SiC FET的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo的共源共栅结构/JFET方式带来了更低的传导损耗。

透过外接的SPI Flash，可支持扩展ROM功能，以简化装置初始化的过程。AX99100A支持四种主要的串并口I/O接口桥接模式，分别为4S（PCIe转4个串口）、2S+1P（PCIe转2个串口和1个并口）、2S+SPI（PCIe转2个串口和SPI主控）、以及LB（PCIe转本地总线/类似ISA）。

TLI5590是一款低磁场传感器，采用了专为大容量传感器系统开发的TMR技术。

这款新型传感器能够在方向快速变化的情况下进行精确检测。TLI5590由两个TMR惠斯通电桥组成，其中TMR电阻取决于外部磁场的方向和强度。结合多极磁铁，每个电桥都能提供差分输出信号，即正弦和余弦信号。这些信号经过进一步处理后，可用于测量相对位置。

传感器的最高工作温度达到+125°C，可灵活用于各种工业和消费应用。它还凭借自身的高温稳定性成为在各种恶劣环境下使用的首选传感器。

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