库存索引：

A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9

MOSFET并联和电流共享使温度变得更加均匀且减少了并联的数量

与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。

在二极管性能方面，OptiMOS 6 200V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了89%，使开关和EMI性能均得到明显改善。

OptiMOS 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。

集成的PLL功能实现快速跳频和锁定时间(采用合适的环路滤波器时小于50μs)。相位检测器杂散电平典型值低于-45dBc，而RF输出功率电平为6dBm。

集成AIE的处理器包含高通Hexagon向量处理器，支持面向更高水平、更复杂的AI功能的向量数学。

该技术还提升了寄生电容线性度（Coss和Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的VGS(th)分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。

在处理器AI上的布局由来已久，在其第二代AI处理器骁龙835上就引入了神经处理引擎SDK，可以让开发者实现设备端AI。并且通过与Google和Facebook的深入合作，针对两者提供的框架进行了优化，在终端侧支持TensorFlow和Caffe2。这给予了开发者极大的便利，可以根据自己的需要，选择合适的硬件内核支持AI运算。

骁龙632处理器是在骁龙625处理器和骁龙626处理器的基础上升级而来，支持AI以及极速LTE等用户体验。

深圳市金泽顺电子有限公司http://jzs.51dzw.com