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产品以5x6mm2封装实现更小传导损耗超强开关性能和更高功率密度

NSOPA801x系列产品以其卓越的抗干扰性能脱颖而出，其高PSRR（电源抑制比）特性确保了电源干扰的有效抑制，无论是在DC还是AC环境下，都能展现出优异的性能。

在4V以上供电时，其DC PSRR典型值高达104dB，而在1kHz和10kHz频率下，AC PSRR分别能达到74dB和54dB以上，这一表现在市场同类产品中名列前茅。

NSOPA801x系列还具备高EMI抑制比和ESD防护功能，进一步增强了其抗干扰能力。这使得它在应对系统及现场各种开关信号干扰时，能够保持出色的稳定性和可靠性。

最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80V的首款产品IAUCN08S7N013。

与上一代产品相比，IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上，最高不超过1.3mΩ，达到目前业内的领先水平。

该产品以5x6mm2封装实现更小的传导损耗,超强的开关性能和更高的功率密度等优点。

此外，IAUCN08S7N013还具有封装电阻和电感低以及抗雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在汽车应用方面已取得AEC-Q101标准以上的认证。

大力发展新能源、光伏发电、促进节能减排的关注等方面给予了很多扶持政策，极大地促进了光伏产业的发展。光伏发电行业向分布式、中东发展趋势明显。光伏项目是指利用太阳能发电的设备工程。

太阳能电池串联后，可以封装保护形成大面积太阳能电池组件，再与功率控制器等部件组成光伏发电装置。光伏发电可以解决无电人群和贫困地区的用电问题，实现精准扶贫，节约水资源。

有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用最新的第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。

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