TW045Z120C的开通损耗降低了约40%关断损耗降低了约34%

碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。

导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，这样，就降低的电流的额定值。为了得到一定的导通电阻值，就必须增大硅片的面积，成本随之增加。

如果类似于IGBT引入少数载流子导电，可以降低导通压降，但是少数载流子的引入会降低工作的开关频率，并产生关断的电流拖尾，从而增加开关损耗。

与目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%。这一改善有助于降低设备功率损耗。

显示平面式MOSFET情况下构成RDS(on)的各个分量。对于低压MOSFET，三个分量是相似的。

但随着额定电压增加，外延层需要更厚和更轻掺杂，以阻断高压。额定电压每增加一倍，维持相同的RDS(on)所需的面积就增加为原来的五倍以上。对于额定电压为600V的MOSFET，超过95%的电阻来自外延层。

NSOPA8xxx系列不仅有效应对电源引入的干扰，更对空间辐射干扰给予充分重视。

在汽车电子与泛能源应用中，尤其是在开关电源中电流电压信号的采样调理链路中，高PSRR对于提升性能稳定性至关重要。它能够有效地抑制干扰信号通过电源路径耦合到采集回路，从而确保信号调理的准确性和可靠性。

无论是在汽车电子还是泛能源应用中，NSOPA801x系列都能为客户提供一个高效、稳定的信号调理解决方案，帮助客户在研发过程中轻松应对模拟干扰测试，确保系统的整体性能达到最佳状态。

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