两个下桥两个上桥开关或一个半桥驱动器具有可编程的死区时间

根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680可与 NCP51820半桥GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)门极驱动器或NCP51561隔离型SiC MOSFET门极驱动器一起使用。 

阵容广泛的SiC MOSFET，它们比硅MOSFET提供更高能效。低导通电阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷(Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。 

NCP51561是隔离型双通道门极驱动器，具有4.5A源电流和9A灌电流峰值能力。

新器件适用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的5kVRMS(UL1577级)电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。

一个使能引脚将同时关断两个输出，且NCP51561提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定(UVLO)和使能功能。

采用TO-247-4L和D2PAK-7L封装的650V SiC MOSFET，并将继续猛增该产品系列。 

现在,新一代MEMS传感器将性能提升到了一个新的水平,输出数据准确度和功耗都突破了现有技术限制。新传感器可让活动检测、室内导航、精密工业感测等产品功能具有更高的测量准确度。同时,新一代传感器将耗电量控制得很低,以延长设备的续航时间。

内置QVAR的ST MEMS传感器可以增强用户界面控制性能,确保人机交互顺畅无缝,或者简化水分和冷凝检测设计。

雷达模式应用场景包括人员存在检测、活动监控和人数统计。此外，提供完整的硅基 650V SUPERFET®III MOSFET产品组合。