全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型,但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC),大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真,并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。
模型还有助于节省时间和资源,工程师此前需要确保他们的设计可以在(不太可能的)最坏情况下工作,而现在能够在特定温度范围内对设计进行仿真。
元件损坏的方式,有过压损坏,过流损坏,当然还有机械损坏,过压损坏如雷击,击穿桥式整流管,过流损坏如显示器行管热击穿。
集成电路内部结构复杂,功能很多,任何一部分损坏都无法正常工作,集成电路的损坏也有两种:彻底损坏,热稳定性不良,彻底损坏时,可将其拆下,与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正,反向电阻,总能找到其中一只或几只引脚阻值异常,对热稳定性差的,可以在设备工作时,用无水酒精冷却被怀疑的集成电路,如果故障发生时间推迟或不再发生故障,即可判定,通常只能更换新集成电路来排除。
Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃整个工作温度范围一系列完整器件参数。
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