在高压多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率

UJ4SC075009B7S在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。

全新SiC FET系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。

这些第四代SiC FET采用Qorvo独特的共源共栅结构电路配置，将SiC JFET与硅基MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基MOSFET简单栅极驱动的器件。SiC FET的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo的共源共栅结构/JFET方式带来了更低的传导损耗。

UJ4SC075009B7S 的主要特性包括：

阈值电压 VG(th)：4.5V（典型值），允许0至15v驱动电压

较低的体二极管 VFSD：1.1V

最高工作温度：175°C

出色的反向恢复能力：Qrr=338nC

低栅极电荷：QG＝75nC

通过汽车电子委员会AEC-Q101认证

汽车降压-升压预调节器参考设计描述了各种汽车应用(如ADAS，网关和信息娱乐)所需的典型预调节器应用的操作和性能。

它的目的是让电源设计人员直接将电路采用到典型的系统设计中,仅根据系统要求对元件进行最小的更改该设计是一个完整的解决方案,但它也提供访问NCV81599的关键功能。

这些特性包括宽输入电压范围从4.5V到32V，动态编程频率从150kHz到1.2MHz, I2C接口，独立输入和输出电流传感，过压和过流保护以及过温保护.

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