100Ω/单位单层薄膜电阻材料用简单几何图形可以制作高性能射频电阻

一个典型的移动电话产品中射频和基带的需要，就要能制作1pF～100nF范围的电容。

集成无源技术虽然只能提供 0.25pF～500pF范围的电容值，但仍能满足典型的射频 IPD、单功能射频模块和完整的射频模块子系统的所有要求。

必须特别注意的是，在设计这些集成无源 MIM 结构电容时，要确保极低的电极串联电阻和最小的对地寄生电容。这些电容元件具有很小的固有寄生电感。这些元件的结构和工艺都须经过专门设计，以确保达到规定的击穿电压（通常保证最低50V的直流电压）。

薄膜电阻材料主要是根据它们的电阻率、工艺的兼容性和电阻的温度系数(TCR)来选定的。通常还要求在加负载情况下性能稳定性优于0.5%。

在温度变化时，相邻电阻器的跟踪精度与匹配精度均优于0.5%。有代表性的集成无源薄膜电阻材料的特性。

在通常的移动电话产品中，电感元件只占元件总数的不到10%，电感值在1～100nH范围里，但是它们对总的射频性能有很重要的影响。

氮化钽也许是薄膜集成无源技术中使用最广泛的电阻材料，因为它为100Ω/单位的薄膜电阻提供了合理的厚度和很低的温度系数。

这种材料还可用干法工艺刻蚀，能制备高精度的几何图形。这些薄膜电阻一般在整个工艺流程前期制作，通常直接制作在基本衬底表面，以求达到最优的图形制作精度，并有利于加负载情况下的散热。