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5A峰值驱动电流在不使用推动级情况下可驱动300A开关器件

GRE1、GRE2和GRE3系列网格电阻适用于机车、谐波滤波器、可再生能源及工业系统中电容器的预充电和放电、动态制动、负载测试、加热器和中性点接地应用。

器件在+40℃下的功率等级达到36kW,工作温度高达+415℃,电阻范围从0.02Ω到240Ω,公差为±10%,电感从5μH到150μH。电阻采用了具有最高冷却效率的双面绝缘,可安装在IP00、IP20和IP23级别的外壳里,在室内和室外条件下使用。

RBEF/RBSF系列绕带电阻非常适合脉冲应用,可满足空间十分紧张的系统中的重载需求。

宽体eSOP封装的单通道隔离型IGBT和MOSFET门极驱动器。新器件具有5A峰值驱动电流,在不使用推动级的情况下可驱动300A开关器件;

可以使用外部推动级以高性价比的方式将门极电流增大到60A峰值。该器件可同时为下管和上管推动级MOSFET开关提供N沟道驱动,从而降低系统成本、减小开关损耗和增大输出功率。

新的SID1102K门极驱动器IC能够为设计者提供易于实施的可扩展方案,并且在一个紧凑且坚固的封装内集成了众多重要的安全及保护特性,从而可缩短产品上市时间。

“MR45V100A”作为SPI总线产品,与蓝碧石以往产品64Kbit FeRAM“MR45V064B”同样在1.8V~3.6V的整个电源电压范围内确保40MHz工作,性能同等,但容量更大,达1Mbit。因而在要求高安全性的应用中,可直接处理更大规模的数据。

作为大容量FeRAM,实现业界最小级别的待机/休眠电流.

在电子设备中,低功耗要求越来越高,一般采用比如使系统运转过程中无需工作的部件转入低电流模式,以降低设备整体平均功耗等手法来实现低功耗。