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多种音视频接口内建Bluetooth 4.2通讯功能与附近其他设备自由连接

改进待机模式，实现1Mbit FeRAM中业界最小级别的10µA待机电流.

加强绝缘由Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink™技术提供，因此无需光耦器，可进一步增强可靠性和稳定性。

SCALE-iDriver技术可减少BOM物料数，从而简化设计和制造;使用一个SID1102K IC和仅八个外围元件即可设计完整的驱动器.该器件可提供系统级保护特性，包括欠压保护、轨到轨稳定输出电压(单一电源供电),高共模瞬态抗扰性以及9.4mm爬电距离和电气间隙。

支持NB-IoT(窄带物联网)R14规格的双模物联网芯片(SoC)MT2621。该芯片支持NB-IoT及GSM/GPRS两种网络模式，具有优秀的低功耗和成本优势，将带来更加丰富的物联网应用，如健身追踪器等可穿戴设备、物联网安全设备、智能电表及各种工业应用。

MT2621整合一个宽频前端模块，支持全球范围内的所有超低频、低频和中频等频带。

MT2621由一颗省电的ARM v7微控制器(MCU)驱动，内置闪存与伪静态随机存储器(PSRAM)，还支持多种音视频接口， 内建的Bluetooth 4.2通讯功能可与附近其他设备自由连接。

MOSFET采用6mmx5mm PowerPAK®SO-8封装，是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比，SiRA20DP的典型栅极电荷更低，只有61nC，FOM为0.035Ω*nC，低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。

这颗MOSFET经过了100%的RG和UIS测试，符合RoHS，无卤素。

漏电保护器有电压型和电流型两大类.其中电流型应用最为广泛。为漏电保护器的外形.为漏电保护器的原理图。