在NB-IoT和GSM/GPRS双网络间自由切换而且支持单卡双待

新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0.58mΩ。SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷，导通电阻还不到0.6mΩ，使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低，可使各种应用提高效率和功率密度。

SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗，提高系统效率，实现更高的功率密度，特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能。器件的FOM较低，可提高开关性能，如通信和服务器电源中DC/DC转换，电池系统中的电池切换，以及5V到12V输入电源的负载切换。

MT2621是一款高度整合的物联网平台，除支持NB-IoT网络外，亦兼容现有GSM/GPRS网络，为物联网设备提供优良的网络覆盖与通话品质。MT2621内建的省电与连接功能可支持现有的GSM/GPRS网络与未来的NB-IoT发展，将能带动物联网迈入下一个成长阶段。

为帮助终端设备厂商将产品更快速推入市场，MT2621采用简单且极具成本效益的单SIM卡单天线设计。终端设备只需一个通用集成电路卡(UICC)和移动号码，即可在NB-IoT和GSM/GPRS双网络间自由切换，而且支持单卡双待。

待机(Standby)模式时彻底关断无需工作的电路的电源，当工作恢复时仅所需部分快速初始化，从而有效抑制住电流消耗。由此实现了平均10μA的1Mbit FeRAM中业界最小级别※的待机电流。

搭载睡眠模式，实现业界最小级别的0.1µA睡眠电流和最短睡眠模式恢复时间.

蓝碧石首家搭载了比传统待机(Standby)模式功耗低几个数量级的的睡眠(休眠)模式，而且睡眠模式下的平均消耗电流仅为0.1μA，属于业界最小级别※。不仅如此，从睡眠模式的恢复时间仅为100μs，为业界最短※，从而在希望休眠时间要短的应用中也可适用睡眠模式。