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共源共栅配置最大限度地降低导通电阻和开关损耗提升效率

模块可以取代多达四个分立式 SiC FET,从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行,通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。

以9.4mΩ导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N为代表的这四款SiC模块均采用Qorvo独特的共源共栅配置，最大限度地降低导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。

另外，银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类SiC电源模块高出2倍。

缩小尺寸的混合设计和巧妙的浮动式系统，使AGV/AMR能自动修正插配位置。

该连接器采电源和信号混合设计，包含两个250V、80A电源引脚（额定冲击电压为4.0KV）和四个60V、10A信号引脚（额定冲击电压为1.5KV）。其浮动式设计提供0.5mm的公差。

这些连接器的紧凑式混合设计有助于满足缩小封装尺寸、减少空间占用和减轻重量的要求，即使在严苛的工业环境中也能帮助实现车辆的小型化。TE HDC浮动式充电连接器具有多达30,000次插配循环的耐用性，是一款高度可靠、功能强大的解决方案。

TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本（TCO）。

TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOS MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构,通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率,在满足AI GPU（图形处理器单元）平台高功率需求的同时，显著降低总体拥有成本。

量子通信的一大应用是量子密钥分发（QKD）。与传统加密技术不同，QKD利用量子纠缠和量子不可克隆原理，能够在两方之间安全地共享密钥。

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