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汽车应用电感器包括用于电动汽车动力总成的额定电压为40V产品

随着智能手机性能的进一步提升，将需要算数吞吐量提高的系统级芯片（SoC），并且附带的无源元件必须表现出更高的电流特性。

此外，智能手机的设计集成了越来越多的功能，导致所涉及的电源电路数量渐增。

因此，采用的电感器必须具有低电阻，并且损耗最小，以便延长电池寿命。TFM201208BLE系列为智能手机原始设备制造商（OEM）提供了急需的价值，也提供了必要的高电流和低电阻。

整个TFM系列还具有各种汽车应用电感器，包括用于电动汽车动力总成的额定电压为40 V的产品。

由垂直堆叠在一起的DRAM芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统 DRAM。HBM3 DRAM是第四代HBM产品，此前三代分别为HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及HBM2E（第三代）。

STM32Cube软件包可以简化用户使用Azure RTOS独立软件包或嵌入式可配置的插件开发应用。增加了可以加快开发速度的免费代码示例，以及多个可在STM32 Nucleo开发板、探索套件和评估板上运行的演示项目。用户也可以在STMicroelectronics Github上查看软件代码。

人工智能和大数据等尖端技术的加速发展，全球主要科技企业正在探索创新方法，以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统DRAM，HBM 在数据处理速度和性能方面都具有显著优势，有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。

H100被认为是当前全球范围内最大、性能最强的加速器。

HBM3带宽可达819GB/s，有望增强加速计算的性能。这个带宽相当于能够在每秒传输163部全高清（Full-HD）电影（每部影片约5GB）。

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