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低功耗和轻负载突发模式操作有助于应用符合能效法规

微控制器支持根据终端应用的具体需求定制电机控制算法，栅极驱动器用于控制逆变器开关管。配套固件包括高效无传感器矢量控制(FOC)算法。该SiP是一款尺寸紧凑、热效率高的方形扁平无引线(QFN)封装，可满足安全性和可靠性对爬电距离的严格要求。

离线AC/DC 转换器是一个VIPER122模拟转换器，集成了控制逻辑器件和800V 耐雪崩功率电路。频率抖动技术可防止转换器干扰其他设备，固有的低功耗和轻负载突发模式操作有助于应用符合能效法规。

工业和通用250W STEVAL-CTM011V1参考设计的逆变级包括六个高鲁棒性的STGD5H60DF绝缘栅双极晶体管(IGBT)。这些晶体管的设计旨在最大限度地提升高开关频率的能效，允许使用更小的电容和磁性元件。此外，封装的低热阻率还增强了晶体管的可靠性，并且紧密的参数分布有助于提高晶体管在大功率应用中并联安全性。

PCIe 5.0、OCP数据中心NVMe SSD规范和E1.S等下一代技术有超大规模的需求，以实现更高的效能、散热和管理。MonTitan平台支持PCIe 5.0、OCP数据中心NVMe 2.0 SSD规范和E1.S，可满足下一代超大规模需求。

MonTitan SM8366 ASIC是一款双端口企业和数据中心PCIe Gen5 x4 NVMe主控芯片，具有16个NAND通道，最高支持2400MT/s。SM8366 提供业界领先的超快顺序(>14GB/s)和随机(>3.0M IOPS)读写性能，并包含一个可扩展的单/双通道40位DDR4-3200/DDR5-4800 DRAM接口。采用MonTitan平台的高性能SM8366释放了曾经受限于传统存储架构的潜力，提供灵活、高完整性的解决方案，以实现数据中心SSD设计的新标准。

SM8366 SSD主控芯片和高性能PCIe Gen5 MonTitan平台。用户可编程且功能丰富的平台能够发挥BiCS FLASH和XL-FLASH的潜力，并为我们共同的企业和数据中心客户开辟新的机遇，从而实现广泛的应用。

将UnitedSiC的新D2PAK-7L封装安装到PCB上或采用液冷的隔离金属基板上，它将具有具备出众的热性能。事实上，因为这些封装内的第四代750V SiC FET的损耗非常低，所以，通常，只需PCB垫就可以提供足够的散热，甚至在电池充电器和电动机等功率非常高的应用中也是如此。

UnitedSiC提供的七个器件的导通电阻从60毫欧到9毫欧不等，适合各种应用和预算。没有什么竞争器件能与其相比，最接近的器件也仅仅达到11毫欧.

D2PAK-7L封装的性能优于TO-247，且源极和漏极连接之间有更好的外部间隔，更方便进行PCB布局和遵守安全机构的漏电与间隙要求。更小的封装尺寸还能减小封装接合线的长度，这是一个重要优势，因为晶粒RDS(ON)和晶粒体积都在不断缩小。由于线接合处更短且鸥翼形引脚长度造成的环形更小，电感会降低，从而使碳化硅开关技术可能带来的快速di/dt速率导致的电压峰值降低。

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