控制寄存器设置放大器增益选择循环功能及读取ADC溢出标志

数字信号处理器芯片，采用静态CMOS工艺技术设计，功耗低、抗干扰能力强。

其结构简单，指令执行速度快（单周期指令的执速度为50ns），指令的源代码与C1XX和C2XX系列保持兼容并且向上兼容第5代DSP（C5X系列）。

F206处上集成的32K×16位的Flash存储器由二块相互独立的16K×16位的Flash存储器组成（Flash0和Flash1），可分别独立地对它们进行读取、擦除和编程等操作。第二块Flash工作模式的切换分别由片上2个I/O映射寄存器控制。

这二块Flash存储器，一块用于存放固化程序，程序调试完成后通过DSP仿真头将程序直接写入Flash中；另一块可用于存放重要参数，可通过键盘、通信端口以及运行程序自动地将数据写入Flash中，从而实现对Flash存储器的“在线”擦、写。

模拟混合电路部分：

1个集成放大器，其增益和滤波器频率可由外部的电容和电阻设定；

1个可编程增益放大器和1个8Ω的差分话筒驱动器相连，通过对控制寄存器进行编程，话筒驱动器可以设置为0dB增益或者不发声，通过编程，话筒驱动器的输入可以选择放大了的DAC输出（Data_Out PGA），也可以是ADC的输入信号；

变换器的参考电压输入端（DT_REF）应接2.5V或1.5V电压（当DACDD是5V时，应接2.5V；当DAVDD是3.3V时，应接1.5V）。

逻辑和其它电路部分：逻辑电路的功能是执行串口操作以及通过串口的二次通信对控制寄存器进行编程。这些控制寄存器用于设置放大器增益，选择循环功能以及读取ADC的溢出标志等。此外，还有一个Flash写命名能电路，它提供了一个外部的逻辑输入，并且可以为外部存储器设备的写使能电路提供电源，这个Flash写使能电路采用数字电源供电。

PWM1和PWM4同相，没有移相，此时副边输出电压最高，如果不计损耗，那么副边的输出电压为nVin，这是满调制时的输出，此时副边通过主开关反并二极管来整流，即为不控整流。

原边的开关作用相当于把输入信号调制为交流的方波信号，副边二极管则把该信号解调为直流电压输出，此时不存在脉宽的空缺，同时封锁副边脉冲。

变压器原边输入信号vab,由于S1及S4和S2及S3的脉宽均为T/2(T为开关周期)，vab正半波和负半波经历时间均为T/2(即π），vab经过副边整流之后可得到最大的输出电压。

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