晶体管特征尺寸减小阈值电压随之降低这IC在不断降低偏置电压轨下运行

瞬态将自然地推动需要使电源更接近高瞬态负载。这不仅是为了通过减轻热耗散 (P=I2R)和压降(V=IR)来实现效率优化，而较高的电流会使这些问题变得更加困难，而且还可以防止因寄生等效串联电感而导致的灾难性电压过冲（ ESL，1s–10s of nH）以前在老一代系统中被认为可以忽略不计。

组件封装的如此小的ESL如何对您的设计产生灾难性影响。这甚至是在人们花费大量时间和精力建立一个非常干净、紧凑的布局（尽可能地包含这些电流）之前的情况。

随着晶体管特征尺寸的减小,阈值电压随之降低,这实际上意味着IC可以在不断降低偏置电压轨下运行。

这突显了电源解决方案面临的一项重大设计挑战，即通过利用更快的电源开关，特别是使用氮化镓(GaN)、碳化硅等宽带隙(WBG) 化学物质来跟上摩尔定律和MEMS的步伐（SiC）、砷化镓（GaAs）或氮化铝（AlN）。

高频磁性材料发展方面缺乏研究和开发，是充分发挥WBG功率开关超快开关速度潜力的终瓶颈。

摩尔定律往往会导致负载功率大幅增加（即，每个晶体管的功率会下降，但封装更多晶体管会使给定占位面积内的功率密度或耗散功率不断下降）向上），其中MEMS往往会导致负载功率大幅下降，因为即使单个传感器功率呈指数下降，应用也往往不需要传感器数量呈指数增长。

CYW20822提供两种认证版本：CYW20822-P4TAI040（带集成跟踪天线）和CYW20822-P4EPI040（通过射频焊盘输出来支持外部天线）。

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