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0.25μm GaAs增强模式pHEMT工艺技术以控制漏极电流

宽带增益模块(gain block)或驱动放大器MMIC的创新平坦增益高线性度低噪增益模块产品,采用标准SOT-89封装,尺寸为4.5mmx4.1mmx1.5mm,Avago的MGA-30689平坦增益高线性度增益模块可以在40到2,600MHz的频带内工作,只需简单的直流偏压匹配,不须额外的射频匹配器件就可以达到高带宽表现。

MGA-30689使用容易且高带宽的性能表现使它成为移动通信设备、WiMAX无线基站、卫星和有线电视机顶盒,以及其他各种在40到2,600MHz频率范围内工作无线应用的理想选择。

这款器件的平坦增益和高线性度特性主要来自于使用Avago特有的0.25μm GaAs增强模式pHEMT工艺技术,内置的温度补偿偏压电路更可以提供整体温度范围和工艺阀值电压变化下的稳定电流输出,另外,高带宽平坦增益特性也非常适合其他需要在不同频率下使用相同驱动放大器或增益模块的无线通信基础设施设计。

场效应晶体管(Ficld-Effect T1・ansistor,简称FET)也是一种具有PN结结构的半导体器件,它与普通晶体三极管的不同之处在于它是电压控制器件,而晶体管是电流控制器件。场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点,但容易被静电击穿,多用作电压控制型器件。

常见的场效应晶体管有结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。

结型场效应管(Junction Field-E北ct Transistor,简称JFET)是利用沟道两边的耗尽层宽窄来改变沟道导电特性,并用以控制漏极电流的,为结型场效应晶体管的实物外形,结型场效应晶体管的实物外形.


绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET,简称MOS场效应晶体管)是利用感应电荷的多少,改变沟道导电特性来控制漏极电流的,其外形与结型场效应晶体管相似。


LED具备有效处理高电流的能力,客户可以利用它创建极其节能和节约成本的照明解决方案,所以OSLON LED具有成为未来‘绿色’光源的所有特性。

该款LED热阻低,仅为7K/W,使散热管理变得更为简单;它尺寸小,使设计师可以更灵活地创建复杂精巧的照明解决方案。如果需要特别强的光线,则可以将几个光源组合在一起使用。除了色温介于5700K至6500K 的超白光之外,中白光和暖白光,其色温范围介于2700K至4500K之间。

无线基站实施I/Q接收器、直接转换接收器或包括多样性接收器在内的多通道配置而言,集成的接收器极大地减小了电路板空间和缩短了开发时间。LTM9002利用了多年的应用开发经验,并将这些经验体现在一个易于使用的11.25mmx 15mm微型模块(uModule®)封装中。